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规格书 |
IPx33-35CN10N G |
文档 |
Multiple Devices 26/Jul/2012 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 27A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 34 mOhm @ 27A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 29µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 24nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1570pF @ 50V |
功率 - 最大 | 58W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
FET特点 | Standard |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 27A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 29µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
标准包装 | 1,000 |
供应商设备封装 | PG-TO263-2 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 34 mOhm @ 27A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 58W |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1570pF @ 50V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 24nC @ 10V |
工厂包装数量 | 1000 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 27 A |
系列 | IPB34CN10 |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 34 mOhms |
功率耗散 | 58 W |
最低工作温度 | - 55 C |
典型关闭延迟时间 | 17 ns |
零件号别名 | IPB34CN10NGATMA1 |
上升时间 | 21 ns |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 100 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 4 ns |
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